在Cu基符合材料的基础上，金属封装还可以被优化多少？下面科伟特小编就给大家详细讲解一下。

通过将高CTE的Cu高压轧制到低CTE的金属或合金基体材料上，然后退火形成固溶连接，可以制备出呈三明治结构的覆Cu材料，这是一种CTE可调、热导率可变的叠层复合材料。封装中所用的两种主要包覆Cu材料为Cu／Invar／Cu(CIC)和Cu／Mo／Cu(CMC)。

CIC在Z方向热导率较低，这与夹心的Invar热导率低有关。CIC具有良好的塑性、冲裁性以及EMI／RFI屏蔽性，除了用于印制板外，还可用于固体继电器封装、功率模块封装及气密封装的底座等。CMC可冲裁，无磁性，界面接合强，可承受反复850℃热冲击。由于其CTE可调整，故能与可伐合金侧墙可靠地焊接。CMC复合材料已用来制作微波／射频外壳、微米波外壳，功率晶体管、MCM的底座，光纤外壳、光电元件基板，激光二极管、盖板、热沉和散热片等。 

在Cu／Mo基础上，Polese公司开发了Cu／Mo-Cu／Cu材料，以满足对可控CTE、高热导和高电导的需要。2003年7月第一种厚度比为1-4—1的Cu／Mo-Cu／Cu上市，其25-400cC的热导率为300W(m-1K-1)，CTE为7．0×10-6-8．5 ×10-6K-1，密度为9．45gcm-3。可用于微波载体和热沉、微电子封装底座、GaAs器件安装和SMP导体。

此外，美国的Polymetallurgical和Anomet等公司还生产了用于玻璃与金属封接的铜芯引线。铜芯外边可以是52合金(Fe-50Ni，中国牌号4J50)、可伐合金(Fe-29Ni-17Co)、42-6合金(Fe-42Ni-6Cr等膨胀材料。二者之间完全冶金结合，具有良好的机械强度、韧性和气密性，既提供了铜的高导电能力，又提供了膨胀材料与玻璃气密封接能力。铜芯与低膨胀合金半径可以是任何比值，标准比值是2：1和3：1。在比值为3：1时，铜芯引线的导电率为14％IACS，即电阻率为12μΩ·cm。

通过上述讲解，相信大家对Cu基符合材料有了更深的了解，要是大家对金属封装感兴趣。可以直接和科伟特在线客服进行即时交流。欢迎广大客户前来咨询和选购！